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| 数据手册 | IXTQ52N30P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Id-连续漏极电流 | 52 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 66 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,448
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥35.4411
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥35.4411 | ￥35.4411 |
| 10+ | ￥31.7833 | ￥317.8330 |
| 25+ | ￥29.1215 | ￥728.0375 |
| 50+ | ￥28.5045 | ￥1,425.2250 |
| 100+ | ￥20.9421 | ￥2,094.2100 |
| 500+ | ￥18.5887 | ￥9,294.3500 |
| 1,000+ | ￥15.9269 | ￥15,926.9000 |
| 2,500+ | ￥15.6801 | ￥39,200.2500 |
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