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    IXFH12N100P

    MOSFET 12 Amps 1000V

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXFH12N100P 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 HiPerFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 463 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 1 kV
    Id-连续漏极电流 12 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.05 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3.5 V
    Qg-栅极电荷 80 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:56,917

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥45.4802
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥45.4802 ¥45.4802
    10+ ¥41.0821 ¥410.8210
    25+ ¥33.7047 ¥842.6175
    50+ ¥31.2280 ¥1,561.4000
    100+ ¥30.6110 ¥3,061.1000
    250+ ¥28.1343 ¥7,033.5750
    500+ ¥23.8595 ¥11,929.7500
    1,000+ ¥21.4356 ¥21,435.6000
    2,500+ ¥20.6953 ¥51,738.2500

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