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| 数据手册 | IXTK8N150L 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 700 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1500 V |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3.6 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 8 V |
| Qg-栅极电荷 | 250 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,147
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥182.0444
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥182.0444 | ￥182.0444 |
| 5+ | ￥180.4314 | ￥902.1570 |
| 10+ | ￥167.9155 | ￥1,679.1550 |
| 25+ | ￥163.7024 | ￥4,092.5600 |
| 50+ | ￥159.9212 | ￥7,996.0600 |
| 100+ | ￥141.4559 | ￥14,145.5900 |
| 250+ | ￥137.5601 | ￥34,390.0250 |
| 500+ | ￥120.6989 | ￥60,349.4500 |
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