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| 数据手册 | IXTA110N055T2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.6 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,403
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥13.1329
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥13.1329 | ￥13.1329 |
| 10+ | ￥11.7755 | ￥117.7550 |
| 50+ | ￥11.7138 | ￥585.6900 |
| 100+ | ￥10.4093 | ￥1,040.9300 |
| 250+ | ￥8.6730 | ￥2,168.2500 |
| 500+ | ￥7.3156 | ￥3,657.8000 |
| 1,000+ | ￥6.1962 | ￥6,196.2000 |
| 2,500+ | ￥6.1522 | ￥15,380.5000 |
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