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| 数据手册 | IXTH6N150 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 540 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3.5 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 67 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,907
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥53.5362
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥53.5362 | ￥53.5362 |
| 10+ | ￥48.3272 | ￥483.2720 |
| 25+ | ￥47.8953 | ￥1,197.3825 |
| 50+ | ￥44.1141 | ￥2,205.7050 |
| 100+ | ￥38.2351 | ￥3,823.5100 |
| 500+ | ￥33.7047 | ￥16,852.3500 |
| 1,000+ | ￥30.3642 | ￥30,364.2000 |
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