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| 数据手册 | APT66M60B2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | T-MAX-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | Power MOS 8 |
| Pd-功率耗散 | 1.135 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 70 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 330 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,885
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥125.9697
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥125.9697 | ￥125.9697 |
| 10+ | ￥114.5027 | ￥1,145.0270 |
| 25+ | ￥105.8914 | ￥2,647.2850 |
| 50+ | ￥100.1976 | ￥5,009.8800 |
| 100+ | ￥96.6631 | ￥9,666.3100 |
| 250+ | ￥88.2370 | ￥22,059.2500 |
| 500+ | ￥79.3701 | ￥39,685.0500 |
| 1,000+ | ￥73.6762 | ￥73,676.2000 |
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