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数据手册 | FDP12N50NZ 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | UniFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 170 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Id-连续漏极电流 | 11.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 460 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
Qg-栅极电荷 | 23 nC |
库存:58,982
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥10.2242
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥10.2242 | ¥10.2242 |
10+ | ¥9.0432 | ¥90.4320 |
100+ | ¥6.4430 | ¥644.3000 |
250+ | ¥6.2579 | ¥1,564.4750 |
500+ | ¥5.4118 | ¥2,705.9000 |
1,000+ | ¥4.4158 | ¥4,415.8000 |
2,500+ | ¥4.3541 | ¥10,885.2500 |
5,000+ | ¥3.9575 | ¥19,787.5000 |
10,000+ | ¥3.7636 | ¥37,636.0000 |
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