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| 数据手册 | APT60N60BCSG 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 431 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 150 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,535
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥130.7381
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥130.7381 | ￥130.7381 |
| 10+ | ￥118.8480 | ￥1,188.4800 |
| 25+ | ￥109.9194 | ￥2,747.9850 |
| 50+ | ￥103.9699 | ￥5,198.4950 |
| 100+ | ￥100.3209 | ￥10,032.0900 |
| 250+ | ￥91.5775 | ￥22,894.3750 |
| 500+ | ￥82.4109 | ￥41,205.4500 |
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