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    STW3N170

    MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STW3N170 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-3PF-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 PowerMESH
    配置 Single
    Pd-功率耗散 63 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 1.7 kV
    Id-连续漏极电流 2.6 A
    Rds On-漏源导通电阻 13 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 44 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:56,201

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥25.9660
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥25.9660 ¥25.9660
    10+ ¥22.0614 ¥220.6140
    100+ ¥17.6633 ¥1,766.3300
    250+ ¥16.6673 ¥4,166.8250
    500+ ¥15.6801 ¥7,840.0500
    1,000+ ¥13.4502 ¥13,450.2000
    2,500+ ¥13.0095 ¥32,523.7500
    5,000+ ¥12.0223 ¥60,111.5000

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