文档与媒体
| 数据手册 | IXTA08N50D2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 800 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.6 Ohms |
| Qg-栅极电荷 | 12.7 nC |
库存：55,200
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥10.9646
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.9646 | ￥10.9646 |
| 10+ | ￥9.8541 | ￥98.5410 |
| 50+ | ￥9.6073 | ￥480.3650 |
| 100+ | ￥8.6730 | ￥867.3000 |
| 250+ | ￥7.2539 | ￥1,813.4750 |
| 500+ | ￥6.1345 | ￥3,067.2500 |
| 1,000+ | ￥5.2091 | ￥5,209.1000 |
| 2,500+ | ￥5.1297 | ￥12,824.2500 |
申请更低价? 请联系客服
