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数据手册 | IXFK80N60P3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装 / 箱体 | TO-264-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 1.3 kW |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 80 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
Qg-栅极电荷 | 190 nC |
库存:56,779
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥73.6762
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥73.6762 | ¥73.6762 |
10+ | ¥67.6651 | ¥676.6510 |
100+ | ¥56.0747 | ¥5,607.4700 |
500+ | ¥50.8127 | ¥25,406.3500 |
1,000+ | ¥46.5996 | ¥46,599.6000 |
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