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| 数据手册 | IXFH69N30P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Id-连续漏极电流 | 69 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 49 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 156 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,568
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥61.9624
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥61.9624 | ￥61.9624 |
| 10+ | ￥55.7662 | ￥557.6620 |
| 25+ | ￥46.4057 | ￥1,160.1425 |
| 50+ | ￥43.1269 | ￥2,156.3450 |
| 100+ | ￥40.8353 | ￥4,083.5300 |
| 250+ | ￥37.9795 | ￥9,494.8750 |
| 500+ | ￥34.6390 | ￥17,319.5000 |
| 1,000+ | ￥33.3345 | ￥33,334.5000 |
| 2,500+ | ￥28.6279 | ￥71,569.7500 |
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