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    FCP190N65F

    MOSFET SF2 650V 190MOHM F TO220

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 FCP190N65F 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 SuperFET II FRFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 208 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 20.6 A
    Rds On-漏源导通电阻 190 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 5 V
    Qg-栅极电荷 60 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:56,225

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥17.5310
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥17.5310 ¥17.5310
    10+ ¥14.9309 ¥149.3090
    100+ ¥11.9606 ¥1,196.0600
    250+ ¥11.2731 ¥2,818.2750
    500+ ¥10.5944 ¥5,297.2000
    1,000+ ¥9.2988 ¥9,298.8000
    2,500+ ¥8.9198 ¥22,299.5000
    5,000+ ¥8.5496 ¥42,748.0000

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