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    CSD23382F4T

    MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFET

    制造商:
    Texas Instruments
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 CSD23382F4T 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PICOSTAR-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 NexFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 500 mW
    Vgs - 栅极-源极电压 8 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 12 V
    Id-连续漏极电流 3.5 A
    Rds On-漏源导通电阻 199 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 - 1.1 V
    Qg-栅极电荷 1.04 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,107

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.2299
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.2299 ¥2.2299
    10+ ¥1.6570 ¥16.5700
    100+ ¥1.0312 ¥103.1200
    250+ ¥1.0312 ¥257.8000
    500+ ¥0.9607 ¥480.3500
    1,000+ ¥0.6566 ¥656.6000
    2,500+ ¥0.5764 ¥1,441.0000
    10,000+ ¥0.5209 ¥5,209.0000
    25,000+ ¥0.5139 ¥12,847.5000
    50,000+ ¥0.4830 ¥24,150.0000

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