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    FDMS3669S

    MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 FDMS3669S 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 Power-56-8
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    商标名 Power Stage PowerTrench
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 2.5 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 60 A
    Rds On-漏源导通电阻 10 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
    Qg-栅极电荷 34 nC

    库存:56,099

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥5.5793
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥5.5793 ¥5.5793
    10+ ¥4.7243 ¥47.2430
    100+ ¥3.5432 ¥354.3200
    250+ ¥3.4286 ¥857.1500
    1,000+ ¥2.4415 ¥2,441.5000
    3,000+ ¥2.3710 ¥7,113.0000
    6,000+ ¥2.1947 ¥13,168.2000
    9,000+ ¥2.0889 ¥18,800.1000

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