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数据手册 | APT29F100B2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | T-MAX-3 |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 1.04 kW |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Id-连续漏极电流 | 30 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 440 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
Qg-栅极电荷 | 260 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:50,455
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥122.4353
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥122.4353 | ¥122.4353 |
10+ | ¥111.2856 | ¥1,112.8560 |
25+ | ¥102.9211 | ¥2,573.0275 |
50+ | ¥97.3418 | ¥4,867.0900 |
100+ | ¥93.9308 | ¥9,393.0800 |
250+ | ¥85.7602 | ¥21,440.0500 |
500+ | ¥77.1401 | ¥38,570.0500 |
1,000+ | ¥71.6314 | ¥71,631.4000 |
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