| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-3PN-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 商标名 |
UniFET |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
280 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
30 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
500 V |
| Id-连续漏极电流 |
22 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
230 mOhms |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥20.8187
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥20.8187 |
￥20.8187 |
|
10+
|
￥17.7250 |
￥177.2500 |
|
100+
|
￥14.1288 |
￥1,412.8800 |
|
250+
|
￥13.3797 |
￥3,344.9250 |
|
500+
|
￥12.5776 |
￥6,288.8000 |
|
1,000+
|
￥11.0263 |
￥11,026.3000 |
|
2,500+
|
￥10.5944 |
￥26,486.0000 |
|
5,000+
|
￥10.1008 |
￥50,504.0000 |
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