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| 数据手册 | IXFN32N100P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 690 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 320 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 225 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,365
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥161.7810
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥161.7810 | ￥161.7810 |
| 5+ | ￥160.3619 | ￥801.8095 |
| 10+ | ￥149.2034 | ￥1,492.0340 |
| 25+ | ￥140.9623 | ￥3,524.0575 |
| 50+ | ￥137.6835 | ￥6,884.1750 |
| 100+ | ￥125.7229 | ￥12,572.2900 |
| 200+ | ￥117.3584 | ￥23,471.6800 |
| 500+ | ￥107.2576 | ￥53,628.8000 |
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