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| 数据手册 | FQA90N08 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 214 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,706
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥20.2017
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥20.2017 | ￥20.2017 |
| 10+ | ￥17.1609 | ￥171.6090 |
| 100+ | ￥13.6970 | ￥1,369.7000 |
| 250+ | ￥11.4053 | ￥2,851.3250 |
| 500+ | ￥10.7795 | ￥5,389.7500 |
| 1,000+ | ￥9.4222 | ￥9,422.2000 |
| 2,500+ | ￥9.0432 | ￥22,608.0000 |
| 5,000+ | ￥8.6730 | ￥43,365.0000 |
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