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| 数据手册 | FDP039N08B-F102 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 214 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 171 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3.9 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 102 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,309
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥26.2128
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥26.2128 | ￥26.2128 |
| 10+ | ￥22.2465 | ￥222.4650 |
| 100+ | ￥17.7867 | ￥1,778.6700 |
| 250+ | ￥16.7907 | ￥4,197.6750 |
| 500+ | ￥15.8652 | ￥7,932.6000 |
| 1,000+ | ￥13.8204 | ￥13,820.4000 |
| 2,500+ | ￥13.3180 | ￥33,295.0000 |
| 5,000+ | ￥12.7627 | ￥63,813.5000 |
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