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数据手册 | IXFR80N50Q3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 570 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 72 mOhms |
Qg-栅极电荷 | 200 nC |
库存:56,150
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥146.6650
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥146.6650 | ¥146.6650 |
5+ | ¥145.3605 | ¥726.8025 |
10+ | ¥135.2596 | ¥1,352.5960 |
25+ | ¥131.9191 | ¥3,297.9775 |
50+ | ¥126.1548 | ¥6,307.7400 |
100+ | ¥114.0091 | ¥11,400.9100 |
250+ | ¥111.8408 | ¥27,960.2000 |
500+ | ¥97.2801 | ¥48,640.0500 |
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