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| 数据手册 | APT77N60BC6 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 481 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 77 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 37 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 260 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,676
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥86.3155
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥86.3155 | ￥86.3155 |
| 10+ | ￥78.4446 | ￥784.4460 |
| 25+ | ￥72.5568 | ￥1,813.9200 |
| 50+ | ￥68.5905 | ￥3,429.5250 |
| 100+ | ￥66.1755 | ￥6,617.5500 |
| 250+ | ￥60.4112 | ￥15,102.8000 |
| 500+ | ￥56.5683 | ￥28,284.1500 |
| 1,000+ | ￥50.4337 | ￥50,433.7000 |
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