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| 数据手册 | IXFB62N80Q3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | PLUS-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.56 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 62 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Qg-栅极电荷 | 270 nC |
库存：52,986
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥185.7639
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥185.7639 | ￥185.7639 |
| 5+ | ￥184.1509 | ￥920.7545 |
| 10+ | ￥171.2648 | ￥1,712.6480 |
| 25+ | ￥166.9900 | ￥4,174.7500 |
| 50+ | ￥156.6424 | ￥7,832.1200 |
| 100+ | ￥144.3733 | ￥14,437.3300 |
| 250+ | ￥140.3453 | ￥35,086.3250 |
| 500+ | ￥123.1845 | ￥61,592.2500 |
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