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| 数据手册 | IXFB30N120P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.25 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 310 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,124
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥211.3509
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥211.3509 | ￥211.3509 |
| 5+ | ￥201.5057 | ￥1,007.5285 |
| 10+ | ￥195.9881 | ￥1,959.8810 |
| 25+ | ￥181.3040 | ￥4,532.6000 |
| 100+ | ￥162.4685 | ￥16,246.8500 |
| 250+ | ￥157.0126 | ￥39,253.1500 |
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