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| 数据手册 | IXTQ200N10T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 550 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 200 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,921
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥33.0261
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥33.0261 | ￥33.0261 |
| 10+ | ￥29.6150 | ￥296.1500 |
| 50+ | ￥29.4916 | ￥1,474.5800 |
| 100+ | ￥22.3699 | ￥2,236.9900 |
| 500+ | ￥19.8932 | ￥9,946.6000 |
| 1,000+ | ￥17.0375 | ￥17,037.5000 |
| 2,500+ | ￥16.7907 | ￥41,976.7500 |
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