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| 数据手册 | APT30M19JVR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 700 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 975 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,372
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥371.2809
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥371.2809 | ￥371.2809 |
| 2+ | ￥364.4589 | ￥728.9178 |
| 5+ | ￥360.3075 | ￥1,801.5375 |
| 10+ | ￥349.4663 | ￥3,494.6630 |
| 25+ | ￥336.6419 | ￥8,416.0475 |
| 50+ | ￥325.9241 | ￥16,296.2050 |
| 100+ | ￥310.9932 | ￥31,099.3200 |
| 250+ | ￥284.9037 | ￥71,225.9250 |
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