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| 数据手册 | IXTA1R6N100D2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 10 Ohms |
| Qg-栅极电荷 | 27 nC |
库存：52,234
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥14.2522
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.2522 | ￥14.2522 |
| 10+ | ￥12.7627 | ￥127.6270 |
| 50+ | ￥12.3308 | ￥616.5400 |
| 100+ | ￥9.4222 | ￥942.2200 |
| 500+ | ￥7.9326 | ￥3,966.3000 |
| 1,000+ | ￥6.7515 | ￥6,751.5000 |
| 2,500+ | ￥6.6281 | ￥16,570.2500 |
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