SQV120N10-3M8_GE3
MOSFET N-Chnl 100-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SQV120N10-3M8_GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-262-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 190 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,432
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥17.6633
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.6633 | ￥17.6633 |
| 10+ | ￥14.6224 | ￥146.2240 |
| 100+ | ￥12.0223 | ￥1,202.2300 |
| 250+ | ￥11.6521 | ￥2,913.0250 |
| 500+ | ￥10.1008 | ￥5,050.4000 |
| 1,000+ | ￥8.6730 | ￥8,673.0000 |
| 2,500+ | ￥8.3645 | ￥20,911.2500 |
| 5,000+ | ￥8.0560 | ￥40,280.0000 |
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