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| 数据手册 | IXZH10N50L2B 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247AD-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,156
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥119.7117
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥119.7117 | ￥119.7117 |
| 50+ | ￥111.5324 | ￥5,576.6200 |
| 100+ | ￥108.8088 | ￥10,880.8800 |
| 250+ | ￥99.7569 | ￥24,939.2250 |
| 500+ | ￥90.5286 | ￥45,264.3000 |
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