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    FQB8N90CTM

    MOSFET QFC 900V 1.9OHM D2PAK

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 FQB8N90CTM 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-263-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 QFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 171 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 900 V
    Id-连续漏极电流 6.3 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.6 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 5 V
    Qg-栅极电荷 35 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,146

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥15.1777
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥15.1777 ¥15.1777
    10+ ¥12.8861 ¥128.8610
    100+ ¥10.0391 ¥1,003.9100
    250+ ¥9.7307 ¥2,432.6750
    800+ ¥7.2539 ¥5,803.1200
    2,400+ ¥6.9983 ¥16,795.9200
    4,800+ ¥6.6281 ¥31,814.8800
    9,600+ ¥6.4430 ¥61,852.8000

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