文档与媒体
| 数据手册 | IXTP6N100D2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
| Qg-栅极电荷 | 95 nC |
库存：50,466
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥42.1309
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥42.1309 | ￥42.1309 |
| 10+ | ￥37.8561 | ￥378.5610 |
| 25+ | ￥33.1495 | ￥828.7375 |
| 50+ | ￥32.4708 | ￥1,623.5400 |
| 100+ | ￥28.6279 | ￥2,862.7900 |
| 250+ | ￥23.8595 | ￥5,964.8750 |
| 500+ | ￥21.1889 | ￥10,594.4500 |
| 1,000+ | ￥18.1568 | ￥18,156.8000 |
| 2,500+ | ￥17.8484 | ￥44,621.0000 |
申请更低价? 请联系客服
