文档与媒体
| 数据手册 | IXTP6N100D2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
| Qg-栅极电荷 | 95 nC |
库存:50,466
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥42.1309
| 数量 | 单价(含税) | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ¥42.1309 | ¥42.1309 |
| 10+ | ¥37.8561 | ¥378.5610 |
| 25+ | ¥33.1495 | ¥828.7375 |
| 50+ | ¥32.4708 | ¥1,623.5400 |
| 100+ | ¥28.6279 | ¥2,862.7900 |
| 250+ | ¥23.8595 | ¥5,964.8750 |
| 500+ | ¥21.1889 | ¥10,594.4500 |
| 1,000+ | ¥18.1568 | ¥18,156.8000 |
| 2,500+ | ¥17.8484 | ¥44,621.0000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934