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    SSM6N7002BFE,LM

    MOSFET ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SSM6N7002BFE,LM 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    封装 / 箱体 ES6-6
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSIV
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 150 mW
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 60 V
    Id-连续漏极电流 200 mA
    Rds On-漏源导通电阻 2.1 Ohms

    库存:57,722

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥1.9832
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥1.9832 ¥1.9832
    10+ ¥1.5513 ¥15.5130
    100+ ¥0.5579 ¥55.7900
    1,000+ ¥0.3905 ¥390.5000
    4,000+ ¥0.2970 ¥1,188.0000
    8,000+ ¥0.2538 ¥2,030.4000
    24,000+ ¥0.2415 ¥5,796.0000
    48,000+ ¥0.2230 ¥10,704.0000
    100,000+ ¥0.1921 ¥19,210.0000

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