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| 数据手册 | FQI8N60CTU 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,155
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥10.7178
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.7178 | ￥10.7178 |
| 10+ | ￥9.1049 | ￥91.0490 |
| 100+ | ￥7.1217 | ￥712.1700 |
| 250+ | ￥6.9366 | ￥1,734.1500 |
| 500+ | ￥5.9142 | ￥2,957.1000 |
| 1,000+ | ￥5.1121 | ￥5,112.1000 |
| 2,000+ | ￥4.9535 | ￥9,907.0000 |
| 5,000+ | ￥4.6714 | ￥23,357.0000 |
| 10,000+ | ￥4.5568 | ￥45,568.0000 |
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