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| 数据手册 | IXTP4N80P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,661
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥9.6073
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.6073 | ￥9.6073 |
| 10+ | ￥8.5496 | ￥85.4960 |
| 25+ | ￥8.3028 | ￥207.5700 |
| 50+ | ￥8.0560 | ￥402.8000 |
| 100+ | ￥6.1169 | ￥611.6900 |
| 250+ | ￥6.1081 | ￥1,527.0250 |
| 500+ | ￥5.1826 | ￥2,591.3000 |
| 1,000+ | ￥4.2219 | ￥4,221.9000 |
| 2,500+ | ￥4.0721 | ￥10,180.2500 |
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