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| 数据手册 | FQI13N50CTU 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-262-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 195 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 390 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,213
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥13.7587
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥13.7587 | ￥13.7587 |
| 10+ | ￥11.6521 | ￥116.5210 |
| 100+ | ￥9.1049 | ￥910.4900 |
| 250+ | ￥8.7964 | ￥2,199.1000 |
| 500+ | ￥7.6858 | ￥3,842.9000 |
| 1,000+ | ￥6.5047 | ￥6,504.7000 |
| 2,000+ | ￥6.3196 | ￥12,639.2000 |
| 5,000+ | ￥5.9847 | ￥29,923.5000 |
| 10,000+ | ￥5.8525 | ￥58,525.0000 |
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