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| 数据手册 | IXFL100N50P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 625 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 70 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 52 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 240 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,490
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥135.8237
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥135.8237 | ￥135.8237 |
| 5+ | ￥134.6427 | ￥673.2135 |
| 10+ | ￥125.2910 | ￥1,252.9100 |
| 25+ | ￥122.1268 | ￥3,053.1700 |
| 50+ | ￥114.5027 | ￥5,725.1350 |
| 100+ | ￥105.5829 | ￥10,558.2900 |
| 250+ | ￥103.7232 | ￥25,930.8000 |
| 500+ | ￥90.0967 | ￥45,048.3500 |
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