RQ3E120BNTB
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
- 制造商：
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | RQ3E120BNTB 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 封装 / 箱体 | HSMT-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.6 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
库存：50,994
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥2.6618
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2.6618 | ￥2.6618 |
| 10+ | ￥2.1771 | ￥21.7710 |
| 100+ | ￥1.3221 | ￥132.2100 |
| 1,000+ | ￥1.0224 | ￥1,022.4000 |
| 3,000+ | ￥0.8735 | ￥2,620.5000 |
| 9,000+ | ￥0.8118 | ￥7,306.2000 |
| 24,000+ | ￥0.7748 | ￥18,595.2000 |
| 45,000+ | ￥0.7562 | ￥34,029.0000 |
| 99,000+ | ￥0.7254 | ￥71,814.6000 |
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