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| 数据手册 | IXTP02N50D 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 25 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 30 Ohms |
| 通道模式 | Depletion |
库存：50,769
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥32.9027
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥32.9027 | ￥32.9027 |
| 10+ | ￥29.5533 | ￥295.5330 |
| 25+ | ￥25.8426 | ￥646.0650 |
| 50+ | ￥23.6656 | ￥1,183.2800 |
| 100+ | ￥18.5887 | ￥1,858.8700 |
| 500+ | ￥16.5439 | ￥8,271.9500 |
| 1,000+ | ￥14.1288 | ￥14,128.8000 |
| 2,500+ | ￥13.9437 | ￥34,859.2500 |
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