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| 数据手册 | IXFH42N60P3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 42 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 185 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 78 nC |
库存：54,184
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥40.7119
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥40.7119 | ￥40.7119 |
| 10+ | ￥36.5605 | ￥365.6050 |
| 100+ | ￥27.6319 | ￥2,763.1900 |
| 500+ | ￥24.5382 | ￥12,269.1000 |
| 1,000+ | ￥21.0038 | ￥21,003.8000 |
| 2,500+ | ￥20.6953 | ￥51,738.2500 |
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