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    CSD87335Q3DT

    MOSFET

    制造商:
    Texas Instruments
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 CSD87335Q3DT 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 LSON-CLIP-8
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    商标名 NexFET
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 6 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 25 A
    Rds On-漏源导通电阻 2.4 Ohms, 1.2 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1 V, 750 mV
    Qg-栅极电荷 5.7 nC, 10.7 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:55,382

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥11.0880
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥11.0880 ¥11.0880
    10+ ¥9.4222 ¥94.2220
    100+ ¥7.3156 ¥731.5600
    250+ ¥7.1217 ¥1,780.4250
    500+ ¥6.1874 ¥3,093.7000
    1,000+ ¥5.2443 ¥5,244.3000
    2,500+ ¥5.1738 ¥12,934.5000
    5,000+ ¥4.8036 ¥24,018.0000
    10,000+ ¥4.6185 ¥46,185.0000

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