| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装 |
Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 175 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-263-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
120 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
75 V |
| Id-连续漏极电流 |
62 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
10.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
2 V |
| Qg-栅极电荷 |
130 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥12.5159
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥12.5159 |
￥12.5159 |
|
10+
|
￥10.5944 |
￥105.9440 |
|
100+
|
￥8.3028 |
￥830.2800 |
|
500+
|
￥6.9983 |
￥3,499.1500 |
|
800+
|
￥6.6281 |
￥5,302.4800 |
|
2,400+
|
￥6.4430 |
￥15,463.2000 |
|
9,600+
|
￥6.2579 |
￥60,075.8400 |
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