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| 数据手册 | IXTP180N10T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 480 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.4 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,809
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥35.4411
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥35.4411 | ￥35.4411 |
| 10+ | ￥31.7216 | ￥317.2160 |
| 25+ | ￥27.5702 | ￥689.2550 |
| 50+ | ￥27.0149 | ￥1,350.7450 |
| 100+ | ￥26.0277 | ￥2,602.7700 |
| 250+ | ￥22.1848 | ￥5,546.2000 |
| 500+ | ￥21.0655 | ￥10,532.7500 |
| 1,000+ | ￥17.7867 | ￥17,786.7000 |
| 2,500+ | ￥15.2394 | ￥38,098.5000 |
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