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数据手册 | IXFN80N50Q3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Chassis Mount |
封装 | Tube |
封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 780 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Id-连续漏极电流 | 63 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
Qg-栅极电荷 | 200 nC |
库存:52,184
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥232.7954
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥232.7954 | ¥232.7954 |
5+ | ¥229.1376 | ¥1,145.6880 |
10+ | ¥223.1264 | ¥2,231.2640 |
25+ | ¥203.4888 | ¥5,087.2200 |
50+ | ¥199.2669 | ¥9,963.3450 |
100+ | ¥180.9338 | ¥18,093.3800 |
200+ | ¥172.8161 | ¥34,563.2200 |
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