文档与媒体
数据手册 | IXTP100N15X4 点击下载 |
---|
产品规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-220 |
通道数量 | 1 Channel |
商标名 | HiPerFET |
Pd-功率耗散 | 375 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 11.5 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
Qg-栅极电荷 | 74 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:56,578
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥54.4617
数量 | 单价(含税) | 总计 |
---|---|---|
1+ | ¥54.4617 | ¥54.4617 |
10+ | ¥48.7062 | ¥487.0620 |
25+ | ¥42.3160 | ¥1,057.9000 |
50+ | ¥41.5139 | ¥2,075.6950 |
100+ | ¥39.9010 | ¥3,990.1000 |
250+ | ¥34.0837 | ¥8,520.9250 |
500+ | ¥32.3474 | ¥16,173.7000 |
1,000+ | ¥27.2617 | ¥27,261.7000 |
2,500+ | ¥23.3571 | ¥58,392.7500 |
申请更低价? 请联系客服