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| 数据手册 | IXTY2N65X2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 55 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.3 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 4.3 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,295
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥10.1008
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.1008 | ￥10.1008 |
| 10+ | ￥9.1666 | ￥91.6660 |
| 25+ | ￥7.9326 | ￥198.3150 |
| 50+ | ￥7.4390 | ￥371.9500 |
| 100+ | ￥7.3773 | ￥737.7300 |
| 250+ | ￥6.3196 | ￥1,579.9000 |
| 500+ | ￥5.7291 | ￥2,864.5500 |
| 1,000+ | ￥4.8565 | ￥4,856.5000 |
| 2,500+ | ￥3.9839 | ￥9,959.7500 |
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