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| 数据手册 | IXTP18P10T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchP |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 15 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 39 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,282
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥10.9646
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.9646 | ￥10.9646 |
| 10+ | ￥9.8541 | ￥98.5410 |
| 50+ | ￥9.7924 | ￥489.6200 |
| 100+ | ￥7.2539 | ￥725.3900 |
| 500+ | ￥6.1345 | ￥3,067.2500 |
| 1,000+ | ￥5.2091 | ￥5,209.1000 |
| 2,500+ | ￥5.1297 | ￥12,824.2500 |
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