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| 数据手册 | IXTA60N10T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 176 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,772
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥11.3348
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥11.3348 | ￥11.3348 |
| 10+ | ￥10.1625 | ￥101.6250 |
| 50+ | ￥9.9158 | ￥495.7900 |
| 100+ | ￥7.4390 | ￥743.9000 |
| 500+ | ￥6.3196 | ￥3,159.8000 |
| 1,000+ | ￥5.3765 | ￥5,376.5000 |
| 2,500+ | ￥5.2972 | ￥13,243.0000 |
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