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数据手册 | IXFH30N60P 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 500 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 30 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:50,782
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥49.3231
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥49.3231 | ¥49.3231 |
10+ | ¥43.6822 | ¥436.8220 |
25+ | ¥38.0412 | ¥951.0300 |
50+ | ¥36.0581 | ¥1,802.9050 |
100+ | ¥35.4411 | ¥3,544.1100 |
250+ | ¥30.7961 | ¥7,699.0250 |
500+ | ¥28.6279 | ¥14,313.9500 |
1,000+ | ¥27.2617 | ¥27,261.7000 |
2,500+ | ¥23.9212 | ¥59,803.0000 |
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