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| 数据手册 | APT17F100B 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | Power MOS 8 |
| Pd-功率耗散 | 625 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 670 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 150 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,079
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥73.1121
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥73.1121 | ￥73.1121 |
| 10+ | ￥65.8053 | ￥658.0530 |
| 25+ | ￥59.9176 | ￥1,497.9400 |
| 50+ | ￥55.8279 | ￥2,791.3950 |
| 100+ | ￥54.0915 | ￥5,409.1500 |
| 250+ | ￥49.3231 | ￥12,330.7750 |
| 500+ | ￥45.0484 | ￥22,524.2000 |
| 1,000+ | ￥38.1029 | ￥38,102.9000 |
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