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| 数据手册 | IXTY8N65X2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,653
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥15.8652
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.8652 | ￥15.8652 |
| 10+ | ￥14.3139 | ￥143.1390 |
| 25+ | ￥12.4542 | ￥311.3550 |
| 50+ | ￥11.6521 | ￥582.6050 |
| 100+ | ￥11.5287 | ￥1,152.8700 |
| 250+ | ￥9.7924 | ￥2,448.1000 |
| 500+ | ￥8.7347 | ￥4,367.3500 |
| 1,000+ | ￥7.4390 | ￥7,439.0000 |
| 2,500+ | ￥6.1962 | ￥15,490.5000 |
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